快科技6月29日音书开云体育，环球最泰半导体建造龙头ASML已入部下手研发下一代Hyper NA EUV先进光刻机，为当年十年的芯片产业作念准备。

Jos Benschop默示，ASML及独家光学衔尾伙伴蔡司（Carl Zeiss）正在相干可在单次曝光中印刷出分辩率细巧到5nm的EUV光刻机，可得志2035年之后的制程需求。

据悉，ASML现在出货的最先进光刻机，可达到单次曝光8nm分辩率。 而之前老旧光刻机必须屡次曝光才调达到访佛分辩率，不仅效果较低，况兼良率也有限。

Benschop指出，ASML正与蔡司进行想象相干，方向是完了数值孔径（NA）0.7 或以上，现在尚未设定具体上市技艺表。

数值孔径（NA）是揣度光学系统汇集与聚焦光泽才略的要道筹备，亦然决定电路图样能否细巧投影到晶圆上的要道要素。 当NA越大、光波长越短，印刷分辩率就越高。

现在尺度EUV光刻机的NA为0.33，最新一代High NA EUV则莳植至0.55。 当下，ASML正朝向NA 0.7或超高NA（Hyper NA）迈进。

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